中微公司三季報中的兩項重大技術突破：存儲芯片用高端刻蝕機大規(guī)模量產，多款薄膜設備性能達到國際先進水平

2025/10/29 19:42:12 周路遙

2025年10月29日，中微公司（688012.SH）發(fā)布了2025年第三季度報告。公司2025年前三季度（1-9月）營業(yè)收入為80.63億元，同比增長約46.40%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為12.11億元，較去年同期增長約32.66%，研發(fā)支出25.23億元，較去年同期增長約63.44%，研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為31.29%。

對于此次利潤增長，中微公司表示，主要有三大原因：

1、2025年前三季度營業(yè)收入增長46.40%下，毛利較上年增長約8.27億元；

2、由于市場對中微開發(fā)多種新設備的需求急劇增長，2025年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎。2025年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長9.79億元（增長約63.44%），研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為31.29%，遠高于科創(chuàng)板均值；

3、由于市場波動，公司2025年前三季度計入非經常性損益的股權投資收益為3.29億元，較上年同期增加約2.75億元。

存儲芯片用刻蝕機獲重大突破，薄膜設備收入同比增長1333%

值得一提的是，中微公司不僅實現(xiàn)了業(yè)績上的增長，在技術領域，中微公司同樣有重大突破。

一是，存儲芯片用刻蝕機獲重大突破。

中微公司表示，公司針對先進邏輯和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，先進邏輯器件中段關鍵刻蝕工藝和先進存儲器件的超高深寬比刻蝕工藝實現(xiàn)大規(guī)模量產。其中CCP方面，公司用于關鍵刻蝕工藝的單反應臺介質刻蝕產品保持高速增長，60比1超高深寬比介質刻蝕設備成為國內標配設備，量產指標穩(wěn)步提升，下一代90比1超高深寬比介質刻蝕設備即將進入市場。

二是，薄膜設備領域取得重大突破。

今年前三季度，中微公司LPCVD和ALD等薄膜設備收入4.03億元，同比增長約1332.69%。

中微公司強調，公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設備已經順利進入市場，并且設備性能完全達到國際領先水平，薄膜設備的覆蓋率不斷增加。

除了上述兩大突破，在其他技術領域，中微公司也有進展。

中微公司表示，ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶用ICP刻蝕設備和化學氣相刻蝕設備開發(fā)取得了良好進展。加工的精度和重復性已達到單原子水平。

此外，公司硅和鍺硅外延EPI設備已順利運付客戶端進行量產驗證，并且獲得客戶高度認可。在泛半導體設備領域，公司正在開發(fā)更多化合物半導體外延設備，已陸續(xù)付運至客戶端開展生產驗證。

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中微公司三季報中的兩項重大技術突破：存儲芯片用高端刻蝕機大規(guī)模量產，多款薄膜設備性能達到國際先進水平

中微公司三季報中的兩項重大技術突破：存儲芯片用高端刻蝕機大規(guī)模量產，多款薄膜設備性能達到國際先進水平