中國論文霸榜全球頂級半導體會議，收錄數(shù)量是美國1.7倍，但有一點不足

2025/3/7 19:51:07 挖貝網周路遙

據日本經濟新聞報道，在近期召開的半導體集成電路的頂級國際會議“ISSCC 2025”上，來自中國的論文占到所有收錄論文數(shù)量的近40%，達92篇，約為排名第二的美國的1.7倍。

據了解，ISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫，是世界學術界和企業(yè)界公認的集成電路設計領域最高級別會議，被認為是集成電路設計領域的“世界奧林匹克大會”。

此次會議期間，投稿論文數(shù)為914篇，為史上最高。但收錄論文數(shù)量僅為246篇，收錄率約為27%，未達過去的平均收錄率（30%）。其中，來自中國的收錄論文有92篇，約占總數(shù)的37%；美國、韓國分列第二和第三位，收錄論文數(shù)量分別為55篇和44篇。

分機構來看，我國北京大學和我國澳門大學被收錄的論文最多，均為15篇。排在第3位的是清華大學，共有13篇，我國大學壟斷了收錄論文數(shù)量的前3名。

模擬芯片領域論文占優(yōu) 數(shù)字芯片領域仍需努力

雖然在此次ISSCC上，中國半導體論文收錄數(shù)量全球第一，是美國1.7倍，但依舊有一點不足，即：我國論文只在模擬芯片（處理模擬信號的芯片，主要包括電源管理芯片、射頻芯片等）領域占優(yōu)，但在需要先進制程的數(shù)字芯片（CPU、GPU、存儲芯片等都屬于數(shù)字芯片）領域，依舊有很長的路要走。

日本信州大學的宮地教授表示，中國在“無需依賴最先進的制程技術，而是以電路設計創(chuàng)意取勝的領域”表現(xiàn)突出。在電源電路、RF（無線射頻）電路等模擬電路相關領域，中國研究人員發(fā)表的論文占據多數(shù)，在相關學術會議的多個專題中占據主導地位。

另一方面，在處理器、DRAM、NAND型閃存等需要最先進制程技術的領域，中國的影響力相對較弱。例如，在存儲半導體領域，沒有一篇來自中國的關于DRAM和NAND的論文被收錄。這背后的原因之一是美國主導的對華出口管制政策，包括EUV（極紫外）光刻機對中國的出口禁令。

ISSCC 2025 論文