希荻微HL7603芯片榮膺“廣東省名優(yōu)高新技術產品” 以創(chuàng)新技術賦能硅負極電池產業(yè)升級
在智能手機邁入“AI+5G”融合的新階段,屏幕分辨率突破 2K、刷新率飆升至120Hz已成為旗艦機型的標配,高性能SoC芯片也在持續(xù)迭代升級。然而,這些技術進步帶來的能耗難題,正成為全行業(yè)共同面臨的挑戰(zhàn)。消費者對續(xù)航能力的迫切需求,推動著手機電池技術加速革新,而硅負極電池憑借比傳統(tǒng)石墨負極高3-5倍的理論容量,成為中高端機型突破續(xù)航瓶頸的核心解決方案。


在此背景下,希荻微(688173)自主研發(fā)的硅負極鋰電池專用DC-DC芯片HL7603于近日成功入選“2025年第一批廣東省名優(yōu)高新技術產品”。這一認定不僅是對其技術實力的權威認可,更標志著國產模擬芯片在該細分賽道實現了突破性進展。

技術突破破解行業(yè)痛點 HL7603成硅負極電池理想搭檔
硅負極材料雖能顯著提升電池能量密度,但充放電時會產生300%-400%的體積膨脹,對電源管理芯片的動態(tài)調節(jié)能力提出嚴苛要求,傳統(tǒng)DC-DC芯片在應對其電壓波動、電流沖擊時,常出現轉換效率驟降、發(fā)熱失控等問題,嚴重制約電池性能。
針對硅負極電池帶來的技術挑戰(zhàn),希荻微研發(fā)團隊憑借十余年電源管理芯片設計積淀,為HL7603芯片創(chuàng)新開發(fā)出三項核心技術,精準破解行業(yè)痛點:
1、寬域電壓適配技術:輸入電壓覆蓋2.3V至5.5V,輸出電壓可靈活調節(jié)至2.85V至5.5V,通過寬泛的電壓區(qū)間設計,確保芯片在電池充放電全周期及不同系統(tǒng)負載需求下,均能保持穩(wěn)定高效運行;
2、能效協同優(yōu)化技術:內置高集成度功率晶體管與同步整流器,并采用低供電電流架構,既能為AI手機、可穿戴設備等單電池便攜式終端提供強勁性能支撐,又能實現高效能與低功耗的平衡,在延長設備續(xù)航的同時,顯著優(yōu)化用戶使用體驗;
3、智能安全管控技術:創(chuàng)新采用雙電平谷值電感限流方案,在DC-DC升壓模式下實現兩級精準限流檢測,且支持用戶根據應用場景自定義電流限制閾值,大幅提升了芯片在復雜工況下的適配靈活性與系統(tǒng)運行安全性。
這些突破讓HL7603成為硅負極電池的理想搭檔,截至目前已向小米、vivo、OPPO、傳音、聯想等全球知名品牌批量出貨,為其AI手機、AI眼鏡等智能終端提供強大的長續(xù)航支持。
獎項背后的實力積淀 從技術創(chuàng)新到市場認可
“廣東省名優(yōu)高新技術產品”評選標準嚴苛,要求參選產品必須具備核心自主知識產權、達到國際先進或國內領先水平,且在市場應用中展現明確的經濟效益和發(fā)展前景。HL7603芯片能從眾多申報產品中脫穎而出,離不開希荻微在技術研發(fā)能力的長期積淀。
作為技術密集型企業(yè),高端芯片設計涉及復雜電路架構和先進制造工藝,需長期研發(fā)投入與深厚技術積累支撐。希荻微深諳此道,多年來持續(xù)加大研發(fā)投入,2021年至2023年研發(fā)投入從1.50億元逐年增至2.37億元,2024年更是投入2.53億元用于產品研發(fā)。這種持續(xù)投入符合國際芯片大廠的發(fā)展路徑——唯有不斷傾注研發(fā)資源、實現技術高效轉化,并勇于在高端領域突破,才能在半導體行業(yè)上行周期中展現更強增長潛力與彈性,在市場競爭中占據有利位置,而HL7603的成功正是這一發(fā)展理念的有力印證。
依托多年積累的經驗,希荻微在產品研發(fā)、設計及銷售環(huán)節(jié)構建起高效靈活的運營體系,不僅有效提升了企業(yè)效率、加快了市場響應速度,更塑造了良好的品牌形象。2024年,公司斬獲多項重要資質與榮譽:成功通過國家級專精特新“小巨人”企業(yè)認定及國家高新技術企業(yè)認定,被授予“佛山市集成電路芯片工程技術研究中心”稱號;同時收獲vivo“2024年最佳交付獎”、傳音控股“2024優(yōu)秀供應商”、天實精工“2024年度優(yōu)秀供應商”、第二屆國新杯?ESG金牛獎新銳二十強、elexcon2024&電子發(fā)燒友網“2024年度領軍企業(yè)獎”等社會各界認可。
展望未來,希荻微將秉持著“綠色能源,美好生活”的理念,以現有的產品布局為堅實基礎,逐步邁向更高階的產品定位,構建更全面的產品結構,拓展更廣闊的應用領域,并致力于吸引更領先的客戶群體。公司將圍繞AI端側應用,重點發(fā)力汽車電子、通信及存儲等關鍵領域,不斷提升自身競爭力,努力培養(yǎng)出與國際頭部廠商相抗衡的實力,為公司的持續(xù)發(fā)展和行業(yè)的進步貢獻更多力量。
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