AI算力越強，芯片越"燙"？三安光電用碳化硅給先進封裝"退燒"

2026/4/15 14:04:57

AI算力競賽正將半導體先進封裝推向產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略制高點。隨著芯片功耗與集成度飆升，傳統(tǒng)硅基材料在散熱環(huán)節(jié)頻頻"亮紅燈"。國內(nèi)化合物半導體三安光電，正依托碳化硅、金剛石等寬禁帶材料的全鏈布局，從材料源頭切入先進封裝，直擊高功率芯片的散熱痛點。

　　據(jù)FortuneBusinessInsights統(tǒng)計，2025年全球先進封裝市場規(guī)模已達423.6億美元，預計2034年將增至704.1億美元。市場高速擴張的背后，是AI芯片對更高算力、更高帶寬、更高集成度的極致追求。產(chǎn)業(yè)共識認為，關鍵材料創(chuàng)新已成為突破封裝性能瓶頸的核心驅動力。三安光電旗下湖南三安聚焦碳化硅中介層、熱沉散熱、AR光學襯底三大方向，多項成果已進入送樣或批量交付階段。

　　碳化硅中介層：為CoWoS"退燒"

　　當前主流的CoWoS封裝技術中，硅中介層在高功率場景下散熱能力捉襟見肘。碳化硅熱導率約為硅的3倍，可將GPU芯片結溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。三安光電已實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底的研發(fā)與小批量送樣，為應對AI芯片封裝的中介層瓶頸及潛在巨量市場做好了技術儲備。

　　熱沉雙路線：金剛石與碳化硅并進

　　隨著封裝集成度提升，熱管理已從輔助環(huán)節(jié)升級為核心痛點。三安光電采用碳化硅、金剛石雙路線并行策略。其研發(fā)的金剛石熱沉基板熱導率最高達2300 W/m?K，電阻率達2.3×101?Ω?cm，在大功率激光器中較傳統(tǒng)陶瓷基板熱阻降低81.1%，并通過1000小時老化測試，目前該產(chǎn)品已在高熱流密度場景批量交付。

　　碳化硅光學襯底：撬動AR眼鏡新應用

　　在AR光學領域，碳化硅折射率高達2.7（傳統(tǒng)玻璃約2.0），熱導率為玻璃的百倍以上，可顯著提升全內(nèi)反射效率并解決高功率光源散熱難題。作為同時擁有Micro LED與12英寸碳化硅光學材料的企業(yè)，三安光電的碳化硅光學襯底面型參數(shù)行業(yè)領先，已向多家國內(nèi)外終端及光學元件廠商小批量交付，正配合客戶進行材料與光學設計迭代。

　　雙基地協(xié)同：產(chǎn)能矩陣逐步釋放

　　三安光電已構建湖南、重慶雙基地協(xié)同的碳化硅全鏈產(chǎn)能矩陣。湖南基地6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16000片/月，8英寸襯底產(chǎn)能1000片/月、外延2000片/月，8英寸芯片產(chǎn)線已通線；重慶基地8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能3000片/月正逐步釋放，形成從襯底到模塊的完整制造能力。

　　隨著混合鍵合、玻璃基板、背面供電等先進封裝工藝走向成熟，材料創(chuàng)新將成為技術演進的核心驅動力。三安光電正以更優(yōu)的熱管理性能和產(chǎn)業(yè)化能力，深度融入先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈，為算力時代的散熱難題提供堅實底座。

三安光電

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AI算力越強，芯片越"燙"？三安光電用碳化硅給先進封裝"退燒"